............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. ............................................................................. .............................................................................
Поиск
Маршруты
Друзья
Гид
Жильё
Проехать

Сквер им. Олега Лосева 

​Тверь
5
14 оценок

Инфо

Отзывы3

Фото5

5
14 оценок
ИК
​Игорь Крамаренко​1 отзыв
👍хорошее место
1 посещение
1 посещение
Отзыв подтверждён
​Владимир Трегубов​53 отзыва
Олег Владимирович Лосев родился в Твери в 1903 году. Он сделал три основополагающих открытия современной электроники: полупроводимость, усилительные свойства полупроводниковых приборов, электролюминесценцию. На основе этих открытий он изобрел первые полупроводниковые приборы: диоды, транзистор и светодиод. Лосев получил пятнадцать патентов и авторских свидетельств на различные полупроводниковые приборы и методы их создания, собственноручно изготовил 54 таких прибора. Сегодня транзисторы производятся во всем мире и составляют основу телефонов, микроволновых печей и других приборов.
Читать целиком
ПЧ
​Пётр Чурсин​2 отзыва
Классный сквер
Лицензионное соглашение, политика конфиденциальности
Интенсивность снегопада
🍪
Мы используем cookies подробнее